NAND Flash の不良ブロックの検出とマーキングについて - Community Translated (JA)

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    質問:

    Cypress NAND デバイスの不良ブロックの検出およびマーキングはどのように行うのでしょうか?

     

    回答:

    NANDデバイスでは不良ブロック管理は重要な項目です。全ての Cypress NAND デバイスのデータシートにはこの項目に関する章が含まれていますValid Blocks”、“Error Management”、“Bad Block Replacement”、“Bad Block Management”といった語句を検索してください。データシートでは不良ブ ロックマーカーの場所とデバイスの使用開始後に発生することのある不良ブロックである‘後発性不良ブロック System Bad Block)’の管理方法を説明しています

     

     

    Cypress SLC NAND 製品は出荷時に製造時発生した初期不良ブロックが含まれていることがあります。ブロックの第1ページ、第2ページ、または最終ページの予備領域1byte の値が FFh でないものは不良ブロックです。この3カ所すべてを確認してください。もしこれらすべての値が FFh であれば、ブロックは正常です。データシートから引用した下記ダイアグラムがフラッシュ初期スキャン時の不良ブロック検出方法を示しています。

     

    9.2 不良ブロック管理フローチャート (Bad Block Management Flowchart)

     

     

    通常、最近の Cypress NAND デバイスでは初期不良ブロックは全て00h があらかじめ書き込まれているので、不良ブロックであることが明確になっています。さらに、もし初期不良ブロックを消去しようとした場合には、消去コマンドはステータス‘fail’で終了します。

     

     

    デバイスの使用期間中、さらに不良ブロックが発生することがあります これが後発性不良ブロックです。もし書込み処理や消去処理が’fail’ で終了した場合、又は読出し処理が修正不能ビットエラー (すなわち、最小ECCが修正できる以上のエラー)を返した場合、そのブロックは不良ブロックとしてマークする必要があります。ユーザーはすべての後発性不良ブロックをマークするか記録する必要があります。将来そのブロックが不良ブロックとして認識されるように、第1ページ、第2ページ、および最終ページの予備領域すべてに 00h を書き込んでおくことを推奨します。

     

    後発性不良ブロックに関して、もし初期不良ブロックのマーキング手法を使用している場合、そのブロックを消去しないようにすることが重要です。もし、初期不良ブロックマーキング手法 を使用しない場合、不良ブロックを記録しているテーブルは、再構築が困難な場合がありますので、消去されることがないように注意してください。