NOR Flash Frequently Asked Questions (FAQs) - KBA222273

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Question: セクタまたはチップイレーズ時間について、経年変化により時間が延びることはありますか?

Answer: 経年変化でセクタまたはチップイレーズ処理時間は延びません。書換え回数が増えると処理時間が延びる傾向があります。

Question: イレーズ時のプリプログラムについて教えてください。

Answer: プリプログラムとは、セクタまたはチップイレーズ動作時に、まず最初にプログラムされているデータビットを確認し、ビットを "1"(消去)状態から "0"(プログラム)状態にプログラムする動作を指します。プリプログラムが完了すると、メモリアレイ内のすべてのデータビットが "0"の状態になります;(セクタまたはチップ)イレーズアルゴリズムが開始され、すべてのビットが "0"(プログラム)状態から "1"(消去)状態にイレーズされます。 フラッシュメモリは "1"から "0"にしかプログラミングできません。これに対し(セクタまたはチップ)イレーズ動作は、セクター単位またはチップ全体で一斉に実施("0"から"1")されます。セクタまたはチップイレーズ動作の中では、プリプログラムアルゴリズムは自動的に開始され、ユーザーに対して透過的であり、無効にすることはできません。

Question: データシートに記載されている「消去前の00hプログラムを除く」とはどういう意味ですか?

Answer: 「消去前の00hプログラム」とはプリプログラムのことで、この時間を含まないことを意味します。記載のない製品につきましては、消去前のプリプログラム時間も含めた消去時間がデータシートスペックです。

Question: ライトバッファモードの書込み時間(最大値)は書込みワード数に依存するのでしょうか?

Answer: ライトバッファモードの書込み時間(最大値)は書込みワード数に依存しません。FLASHメモリデバイスはシングルワードプログラミングとライトバッファプログラミングの両方をサポートできますが、ライトバッファのプログラミングがより効率的であるため、好ましいです。ただし、1ワードまたは最大ワードがバッファにロードされている場合でも、書込みバッファ時間が同じであるため、最大ワード数のバッファをロードすることを推奨します。 したがって、ライトバッファの書込み時間は書込みワード数に依存しません。

Question: ByteピンはOpenにしても大丈夫でしょうか?

Answer: Openにしないでください。 x8モードのときは、VILを入力、x16モードのときは、VIHを入力してください。GL-Tシリーズは内部プルアップがあるため、x16モードでご使用される場合はOPENでも構いません。

Question: バイトアクセス時の接続方法は (DQ15/A-1ピンとDQ14-8の接続方法は)?

Answer: バイトアクセス時、DQ15端子はアドレスA-1に割り当てられます。DQ15/A-1ピンは、CPUの最下位アドレスA0に接続してください。DQ14-8はトリステート(High-Z)であるため、OPENで構いません。なお、BYTE#ピンは"0" (LOW)としてください。

Question: NCピンはOpenにしても大丈夫でしょうか?また、電源や信号線と接続しても大丈夫でしょうか?

Answer: はい。Openで構いません。また、NCピンは内部的にパッドに接続されておりませんので、電源や信号線と接続しても問題ありません。

Question: デバイスの最大ジャンクション動作温度について教えてください。

Answer: ジャンクション温度(Tj)は以下の計算式で求めることができます。

Tj (ja × Pd) Ta

ja ( /W)     ジャンクション温度(Tj)と周囲温度(Ta)間の熱抵抗

Pd(W)             消費電力=動作電圧(Vd max)×動作電流(Id max

Ta()             周囲温度

<算出例>

型格:S29GL256N90TFIR20H

算出条件:

ja 44(/W)

[TSOP56パッケージ、無風状態の熱抵抗値を使用]

Pd 0.18(W)

[消費電力の最大値(プログラム/イレース時)を使用]

Ta 85() [動作温度の最大値を使用]

算出結果:

Tj = (44 x 0.18) + 85 = 92.92 ()

Question: FLASHのデータ保持年数はtyp20年とありますが、どの時点からでしょうか。

Answer: データ保持年数typ20年は、最後の書込みからの年数です。データ保持期間は書換え回数、システム使用温度、書換えインターバルに依存しますので、書換え回数とデータ保持期間の保証につきましてはお問い合わせください。

Question: プログラム/消去サイクリング後のデータ保持期間にはどのような要因が影響しますか?

 

Answer: プログラム/消去サイクリング後のデータ保持は、次の3つの主なパラメータによって決まります。

  1. 1.システム使用温度(プログラム/消去サイクルとデータ記憶)
  2. 2.プログラム/消去サイクルの総数
  3. 3.サイクリングインターバル期間

サイプレスフラッシュメモリの耐久性とデータ保持特性の詳細については、以下のリンクからAN217979を参照してください。

Question: SPI FlashDDRの概念教えてください。

Answer: Double Date Rate (DDR) は、CLKの立ち上がりおよび立ち下がりエッジでフラッシュからデータが出力されます。よって、同じCLK周波数でデータ転送速度はSDR2倍になります。サイプレスのFL-SFS-SFL-LシリーズはDDR機能をサポートしています。

Question: データシートには、10Kプログラム/イレーズ後と100Kプログラム/イレーズサイクル後のデータ保持はそれぞれ20年と2年であることが示されていますが、この値の平均使用温度はいくらですか?

Answer: JEDECに従って、データ保持の環境条件としては平均使用温度55℃が使用条件です。