NOR FLASH FAQS - KBA222273 (JA)

Version 11

     

    Version: *E

     

    1. セクタまたはチップイレーズ時間について、経年変化により時間が延びることはありますか?

    経年変化でセクタまたはチップイレーズ処理時間は延びません。書き換え回数が増えると処理時間が延びる傾向があります。

     

    2. イレーズ時のプリプログラムについて教えてください。

    プリプログラムとは、セクタまたはチップイレーズ動作時に、まず最初にプログラムされているデータビットを確認し、ビットを "1"(消去)状態から "0"(プログラム)状態にプログラムする動作を指します。プリプログラムが完了すると、メモリアレイ内のすべてのデータビットが "0"の状態になります;(セクタまたはチップ)イレーズアルゴリズムが開始され、すべてのビットが "0"(プログラム)状態から "1"(消去)状態にイレーズされます。 フラッシュメモリは "1"から "0"にしかプログラミングできません。これに対し(セクタまたはチップ)イレーズ動作は、セクタ単位またはチップ全体で一斉に実施("0"から"1")されます。セクタまたはチップイレーズ動作の中では、プリプログラムアルゴリズムは自動的に開始され、ユーザーに対して透過的であり、無効にすることはできません。

     

    3. データシートに記載されている「消去前の00hプログラムを除く」とはどういう意味ですか?

    「消去前の00hプログラム」とはプリプログラムのことで、この時間を含まないことを意味します。記載のない製品につきましては、消去前のプリプログラム時間も含めた消去時間がデータシートスペックです。

     

    4. ライトバッファモードの書込み時間(最大値)は書込みワード数に依存するのでしょうか?

    ライトバッファモードの書込み時間(最大値)は書き込みワード数に依存しません。FLASHメモリデバイスはシングルワードプログラミングとライトバッファプログラミングの両方をサポートできますが、ライトバッファのプログラミングがより効率的であるため、好ましいです。ただし、1ワードまたは最大ワードがバッファにロードされている場合でも、書き込みバッファ時間が同じであるため、最大ワード数のバッファをロードすることを推奨します。 したがって、ライトバッファの書き込み時間は書き込みワード数に依存しません。

     

    5. ByteピンはOpenにしても大丈夫でしょうか?

    Openにしないでください。 x8モードのときは、VILを入力、x16モードのときは、VIHを入力してください。GL-Tシリーズは内部プルアップがあるため、x16モードでご使用される場合はOPENでも構いません。

     

    6.  バイトアクセス時の接続方法は (DQ15/A-1ピンとDQ14-8の接続方法は)?

    バイトアクセス時、DQ15端子はアドレスA-1に割り当てられます。DQ15/A-1ピンは、CPUの最下位アドレスA0に接続してください。DQ14-8はトリステート(High-Z)であるため、OPENで構いません。なお、BYTE#ピンは"0" (LOW)としてください。

     

    7. NCピンはOpenにしても大丈夫でしょうか?また、電源や信号線と接続しても大丈夫でしょうか?

    はい。Openで構いません。また、NCピンは内部的にパッドに接続されておりませんので、電源や信号線と接続しても問題ありません。

     

    8. デバイスの最大ジャンクション動作温度について教えてください。

    ジャンクション温度(Tj)は以下の計算式で求めることができます。

    Tj ja × Pd) Ta

    θja ( /W)     ジャンクション温度(Tj)と周囲温度(Ta)間の熱抵抗

    Pd(W)             消費電力=動作電圧(Vd max)×動作電流(Id max

    Ta()             周囲温度

    <算出例>

    型格:S29GL256N90TFIR20H

    算出条件:

    ・θja 44(℃/W)

    [TSOP56パッケージ、無風状態の熱抵抗値を使用]

    Pd 0.18(W)

    [消費電力の最大値(プログラム/イレース時)を使用]

    Ta 85(℃) [動作温度の最大値を使用]

    算出結果:

    Tj = (44 x 0.18) + 85 = 92.92 (℃)

     

    9.  FLASHのデータ保持年数はtyp20年とありますが、どの時点からでしょうか。

    データ保持年数typ20年は、最後の書き込みからの年数です。データ保持期間は書き換え回数、システム使用温度、書き換えインターバルに依存しますので、書き換え回数とデータ保持期間の保証につきましてはお問い合わせください。

     

    10. プログラム/消去サイクリング後のデータ保持期間にはどのような要因が影響しますか?

    プログラム/消去サイクリング後のデータ保持は、次の3つの主なパラメータによって決まります。

    1. システム使用温度(プログラム/消去サイクルとデータ記憶)
    2. プログラム/消去サイクルの総数
    3. サイクリングインターバル期間

    サイプレスフラッシュメモリの耐久性とデータ保持特性の詳細については、以下のリンクからAN217979を参照してください。

     

    11. SPI FlashDDRの概念教えてください。

    Double Date Rate (DDR) は、CLKの立ち上がりおよび立ち下がりエッジでフラッシュからデータが出力されます。よって、同じCLK周波数でデータ転送速度はSDR2倍になります。サイプレスのFL-SFS-SFL-LシリーズはDDR機能をサポートしています。

     

    12. データシートには、10Kプログラム/イレーズ後と100Kプログラム/イレーズサイクル後のデータ保持はそれぞれ20年と2年であることが示されていますが、この値の平均使用温度はいくらですか?

    JEDECに従って、データ保持の環境条件としては平均使用温度55℃が使用条件です。

     

    13. 同じメモリ容量のS25FL127SS25FL128Sとの違いはなんですか?

    FL127Sは、要求の少ない機能を搭載せず性能を調整することで、主に小型パッケージ向けに開発された製品です。 DDR, Vio, より速い書込み/消去タイミングなどのフル機能セットと高性能を必要とするアプリケーションでは、S25FL128Sを強くお勧めします。

     

    14. GL-TファミリとGL-Sファミリとのパフォーマンスの違いは何ですか?

    GL-Tファミリの読み出し性能は、同じ容量のGL-Sファミリ製品の性能と同じです。GL-Sファミリは1.5 Mbpsの高性能プログラムと0.477 Mbpsの消去をサポートし、GL-Tファミリの場合はそれぞれ1.14 Mbps0.245 Mbpsをサポートします。 GL-TGL-Sファミリの相違点は、アプリケーションノートAN202453 - Migration From GL-P and GL-S to GL-T Flashを参照してください。

     

    15. S25FL-Lファミリと比較してS25FL-Sファミリの利点は何ですか?

    S25FL-Sファミリの特長は80 MHzのダブルデータレート(DDR)周波数であり、S25FL-Lファミリの最大DDR周波数である66 MHzよりも高い性能です。したがって、S25FL-Sファミリは、クラスタ、インフォテインメントなどの、非常に高速な読み出し帯域幅を必要とするアプリケーションに適しています。

     

    16. S25FL-Sファミリと比較してS25FL-Lファミリの利点は何ですか?

    S25FL-Lファミリは、均一な4 KBセクタアーキテクチャを採用しています。これに対して、S25FL-Sファミリは64 KBハイブリッドセクタと256 KBのユニフォームセクアーキテクチャを特長としています。ハイブリッドセクタアーキテクチャでは、4 KBセクタの数が限られており、残りのセクタのサイズは64 KBです。 均一な4 KBセクタアーキテクチャでは、データのアップデートが細かい単位で可能なため、ハイブリッドセクタアーキテクチャよりも大きな柔軟性を持ちます。

     

    1. FL-L Sector Structure

    17. 不揮発性コンフィギュレーション レジスタ (NVCR) の書き換え方法を教えてください。

    WRENコマンド(06h)を発行後、 WRR (01h)コマンドを発行してください。WRRコマンドを発行すると、デバイスは自動的にレジスタの値を消去し、新たな値のプログラムを行います。

    詳しくは、データシートの「Write Register (WRR 01h)」項目を参照してください。

     

    18. S25FL-P, S70FL-P, S25FL-S, S70FL-S, S25FS-S, S70FS-Sファミリの推奨ランドパターンを教えてください。

    SPIフラッシュデバイスの推奨ランドパターンについては、次のアプリケーションノートを参照してください。

    AN98508 - Cypress Serial Peripheral Interface (SPI) FL Flash Layout Guide

     

    19. WP#/ACC端子の未使用時は、プルアップ抵抗に接続するべきでしょうか?

    WP#/ACC端子は、デバイス内部にプルアップ抵抗が内蔵されているため、オープンで使用できます。

     

    20. S25FL1-KPower-On Reset に関して、VCCが復帰するときに、VCC (Min)VCC (Low)の間にVCC電圧が低下した場合、フラッシュの動作として何か問題がありますでしょうか。

    VCC電圧がVCC (min) VCC (low)の間で低下しているが、VWIは下回っていない場合は、電源がオンとみなされ、VCCが復帰して、フラッシュは正常に動作します。 しかし、VCC電圧がVWIを下回った場合は、PORを実行する必要があります。ここでは、VCCtPD期間でVCC (low)以下にし、復帰する際にtVSLおよびtPUWパラメータを満たさなければなりません。

    2. Power-Up Timing Diagram

     

    3. Power-Down Timing Diagram

    21. Lowest sector protectedモデルとHighest sector protectedモデルの違いを教えてください。

    WP#ACC = VILの時に保護されるセクタが異なります。High Protectモデルは最終セクタが、Low ProtectモデルはSector#0が保護されます。WP#ACCによるプロテクトを使用しない場合、両者の違いはありません。

     

    22. MicronN25Q SPI NOR Flashに最も近い代替品となるCypress社のSPI NOR Flashメモリは何ですか?

    MicronN25Qの代替品はS25FL-L/S25FL-Sです。なお、これは完全互換ではない可能性があります。置き換え時のデバイス間の相違について調査してください。次のアプリケーションノートを参照してください。

    AN202471 - Migrating to Cypress S25FL-L Serial NOR Flash from Winbond W25Q-JV/FV, Micron N25Q-A, and Macronix M25L-F Devices

     

    23. MicronMT25QU SPI NOR Flashに最も近い代替品となるCypress社のSPI NOR Flashメモリは何ですか?

    MicronMT25QUに最も近い代替品はS25FS-Sです。 これは完全互換ではない可能性があります。置き換え時のデバイス間の相違について調査してください。

     

    24. MicronM29W/M29EW Parallel NOR Flashに最も近い代替品となるCypress社のParallel NOR Flashメモリは何ですか?

    MicronM29W/M29EWに最も近い代替品はS25FL-Sです。 これは完全互換ではない可能性があります。置き換え時のデバイス間の相違について調査してください。

     

    25. Numonyx P33 Parallel NOR Flash に最も近い代替品となるCypress社のParallel NOR Flash メモリは何ですか?

    MicronM29W / M29EWに最も近い代替品はS29GL-Sです。これは完全互換ではない可能性があります。置き換え時のデバイス間の相違について調査してください。次のアプリケーションノートを参照してください。

    AN98584 - Migration from Numonyx™ P33 to Cypress S29GL-S

     

    26. S29GL-Sの動作状態でTa=85℃を超えた場合、すぐに壊れてしまうのでしょうか?

    動作保証温度を超えた場合でも、デバイスは動作いたしますが、動作の保証はされません。

    また、絶対最大定格を超えるとデバイスが破損する可能性がありますので、動作保証範囲内でのご使用をお願い致します。

     

    27. S25FL-Sからディープパワーダウンモード(DPD)機能がなくなりますが、それに相当する他の機能はあるのでしょうか?

    S25FL-SDPDに相当する機能はサポートされていません。スタンバイパワーモードは、スタンバイ電流が最も小さくなるパワーモードです。S25FL-Sはスタンバイモードに入り(消費電流 70 µA)、任意のコマンドを受け入れる状態になります。CE#入力信号がアクティブLOWにし、コマンドを実行すると、デバイスは最大で〜100mAを消費します。

     

    28. GLシリーズでライトバッファプログラムを使用する利点は何ですか?

    ライトバッファプログラム機能は、1ビットから256バイト/ 512バイトまでの一括書き込み実行を可能にします。これにより、標準プログラミングアルゴリズムよりも高速な書込みができます。 4は、GLシリーズのライトバッファプログラムがシングルワードプログラムと比較して書込みパフォーマンスが向上していることを示します。

     

    4. 256文のデータを書き込む場合

    29. ある代理店では、オーダー型格に追加の接尾辞が付きます。例えば、接尾辞なし、または接尾辞Eが付いたS29AL016D70BFI020です。この "E"は何を意味しますか?

    これらは、Spansion時代にFab/Assy Locationを表すために使用された追加の接尾辞です。合併以後は異なるフォーマットを使用しています。特定のFab/Assy情報については、テクニカルサポートからSupport Caseを作成してください。

     

    30. RFUピンはVDDまたはGNDに接続できますか?

    RFUは将来使用するための予約済みを意味します。RFUピンをVDDまたはGNDに接続しても問題はありませんが、将来的にピンに機能を割り当てられた新しい型格がリリースされ、その新しい型格へのリプレースを行う場合に問題が発生する可能性があります。基本的に、フローティングとすることを推奨します。

     

    31. FL-Sシリーズでシングルバイト書き込みは可能ですか?

    このデバイスでは、書き込むセクタがブランクまたは消去されている限り、シングルバイトでの書き込みが可能ですが、効率的ではありません。 これは、Page Programming Bufferを使用した1ページ書き込みと、総時間が同じであるためです。ただし、シングルバイトプログラミングは、同じ16-ECCユニットへの次のシングルバイトプログラミングによってECCを無効にします。効果的なプログラミングとしての観点からも、Page Programming Bufferを使用することを推奨します。

     

    32. S26KL-S / S26KS-Sのマルチワードバーストデータロードによるワードプログラミングはどのような動作をしますか?

    ワードプログラミングシーケンスのバースト書き込みは、シングルHyperBus™トランザクションで行います。CS#立ち下がりエッジから始まり、バースト書き込み(2つのロック解除サイクル、次にA0hコマンド、そして最大256のアドレス/データ・ペア)が続き、CS#立ち上がりエッジにてトランザクションを終了します。 この場合、プログラミング動作を開始するためのフラッシュコマンドは不要です。CS#の立ち上がりエッジにてプログラミングを開始します。

     

    33. マルチワードバーストデータロードによるワードプログラミングを行うと、S26KL-S / S26KS-SECC機能は無効になりますか?

    いいえ、消去せずに半ページ以内に2回以上使用しないかぎりECC機能は無効になりません。

     

    34. S26KL-S / S26KS-Sで最大256ワードをマルチワードバーストデータロードによるワードプログムをする時に、完了するまでどれくらい時間がかかりますか?

    1ページ(256ワード)の書き込みバッファプログラムに要する時間と同じです。~475µsです。

     

    35. 消去・プログラミング中に電源切断が発生した場合はどうなりますか?

    消去またはプログラミング中に電源切断が発生した場合、動作が中断され、対象領域のデータが不定になり、フラッシュメモリにデータエラーが発生する可能性があります。

     

    36. プログラミング・消去中に意図しない電源切断あるいはRESETが起こった場合の回復処理を教えてください。

    消去・プログラミング中に電源切断あるいはRESETにより中断されてしまった場合、対象セクタのデータは不定となります。

    その場合、再度対象セクタを消去し、データを書き直してください。書き込み・消去中以外のセクタには電源切断やRESETは影響しません。

    下記KBAを参照してください。

    Recover Flash Devices when Power Failure or Reset Happens During a Program or Erase Operation

     

    37. データ書き込み完了後、電源切断によってデータ読み出しが中断した場合、データの消失は発生しますか?

    読み出し中の電源切断によって対象セクタのデータが消えてしまうことはありません。

     

    38. FL-S/FL-Lでは、ECC機能はどのような場合に無効となりますか?

    ECC機能は下記動作の場合、無効になります:

    ・同じECCユニットに対する複数回のページ書き込み

    ・同じアドレスへの上書き

    ・シングルバイトプログラム

     

    5.有効・無効なECCの例

     

    39. 無効になっているECCユニットのECCを再度有効にする方法は?

    ECCを再度有効にするためには、ECCユニットを含むセクタをSector Erase で消去する必要があります。

     

    6ECCを再度有効にする方法

    40. フラッシュデバイスのIBISモデルとVerilogモデルはどこで入手できますか?

    作成したすべてのIBISモデルとVerilogモデルは、次のページのリンクから入手できます。

    http://www.cypress.com/simulation-models

     

    41. デバイスが消去回数制限に到達したとき、イレーズは失敗しますか?イレーズに失敗した後、セクタ イレーズシーケンスのリトライは必要ですか?消去回数制限に到達したときのフラッシュメモリの故障以外で、イレーズが失敗することはありますか?

    はい、デバイスが消去回数制限に到達した場合、イレーズの失敗が起こる可能性があります。セクタ イレーズシーケンスのリトライは不要です。フラッシュメモリの故障、または消去回数制限以外で、フラッシュメモリ動作は失敗しません。

     

    42. 特定のセクタで頻繁にイレーズが失敗する場合、周辺のセクタに影響しますか?

    イレーズはセクタ固有であるため、他のセクターへ影響しません。

     

    43. 電源電圧、周囲温度に加えて、消去回数が増えてくることで、最大イレーズ時間は長くなりますか?

    電源電圧、周囲温度に加えて、消去回数が増えると、処理時間は延びる傾向がありますが、データシートに記載されている最大値を超えることはありません。なお、消去前のデータパターンも処理時間に影響します。

     

    44. Sector Eraseなどによる部分消去中のコマンド発行中またはその待ち時間(tSE)中に電源が切断された場合、該当Sector以外に影響が出る可能性はありますでしょうか?

    Sector Erase実行の場合、該当Sector以外に影響することはありません。

     

    45. WRENコマンド発行後、すぐにコマンドは発行できますか?それとも1度ステータスレジスタのWELビットが'1'になったことを確認(ステータスレジスタをリードしてWEL='1'を確認)してからコマンドを発行した方が良いのでしょうか?

    WREN発行後にステータスレジスタのリード (RDSR)をする必要はありません。

     

    46. VIOオプション付きのフラッシュデバイスの場合、VCCVIOの両方を同じ電源に接続できますか?

    VCCVIOを同じ電源3.3Vで接続する場合は、何も問題ありません。 このインプリメンテーションは、「パワーアップ時またはパワーダウン時のVCCは常にVIOVCC VIO)以上でなければならない」という条件を満たしています。

     

    47. 下記のS25FL512Sのピンには内蔵のプルアップ抵抗があります。

      • # 1 HOLD#/IO3
      • # 3 RESET#/RFU_1
      • # 9 WP#/IO2

          各プルアップ抵抗の抵抗値と、その範囲はどのくらいですか?

    S25FL512Sのプルアップ抵抗の詳細は、Value of Internal Pull-Up Resistor on RESET#, HOLD#, and WP# for the S25FL-S and S25FL-L Seriesを参照してください。

     

    48. S29GL512S11TFB020のバウンダリスキャン テスト用のBSDLファイルは、どこからダウンロードできますか?

    フラッシュメモリはバウンダリスキャン デバイスではないため、BSDLファイルを提供していません。

    SoC/MCUとフラッシュの間の相互接続性は、SoC/MCUを経由してフラッシュメモリへアクセスすることで、間接的に検証できます。

     

    49. フラッシュデバイス用の推奨ソケットを教えてください。

    下記のソケット/アダプターはサイプレスのフラッシュメモリをサポートしています。

    • Meritec Inc.
    • Emulation Technology
    • Enplas-Tesco Inc.
    • WELLS-CTI
    • Yamaichi Electronics USA Inc.

    詳細は各ベンダーにお問い合わせください。上記ベンダーが製造および提供したすべての製品に関する製造物責任、サービス、および保証について、サイプレスはいかなる責任も負いません。

     

    50. 同一アドレスに対して、消去せずに2回書き込めますか(消去→書込み→書込み)?

    物理的には、10にプログラムできます。ただし、ページ書込みを2回行う場合、内蔵のECC機能は無効になります。このため、消去せずに2回書き込むことは推奨できません。

     

    51. FL-Sデバイスに対して、消去/書込み動作中に、一時停止コマンド(中断コマンド)が発行された場合について教えてください。この一時停止中にフラッシュへアクセスした場合、フラッシュからの読出しは可能でしょうか?

    消去/書込み動作中に一時停止コマンド(中断コマンド)が発行された場合、一時停止状態であっても、読出しコマンドによるフラッシュからの読出しは可能です。ただし、瞬断より電圧がVCC(low) = 2.3 V以下に下がった場合、フラッシュデバイスを再起動する必要があります。

    消去動作の途中で電源が中断した場合、消去対象エリアのデータは未定義になります。この場合、消去と書込み動作が必要です。詳細はデータシートのPower-UpPower-Downの章を参照してください。

     

    52. ソフトウェアリセットコマンドと一時停止コマンドにより、動作を一時停止した場合、何か問題が発生しますか?

    ソフトウェアリセットコマンドによって、書込みまたは消去動作を中断した場合、対象エリアのデータは未定義になります。

    一時停止コマンドによって、書込みまたは消去動作を一時的に停止した場合は、データに対して問題は発生しません。書込みまたは消去動作を再開すると、その動作は正常に実行完了します。

    パワーダウンまたはソフトウェアリセットコマンドよって一時停止され、かつ再開されない場合、書込みまたは消去動作は中断され、対象エリアのデータは未定義になります。

    未定義になったセクタには、再消去と再書き込みが必要です。

     

    53. プログラムまたは消去中に、ステータスレジスタのErrorBitがセットされた場合、何をするべきですか?

    ステータスレジスタクリアまたはソフトウェアリセットコマンドを実行してください。

     

    54. ダイナミック保護ビット (DYB)を使用してセクタを保護していますが、保護されたセクタに消去と書込み動作が実行できるようです。どのような原因が考えられますか?

    下記の事項を確認してください。

    • DYB保護コマンドの実行前に、WRENコマンドを実行したこと
    • DYB保護コマンドの実行後に、電源を再起動したこと
    • ソフトウェアリセットコマンドが発行されたこと

     

    55. パワーオン (コールド) リセット (POR)によって電源を起動するとき、RESET#ピンがHIGHに固定されていても大丈夫ですか?

    GL-Tのデータシート(11.3.1 パワーオン (コールド) リセット (POR)) の記述のとおり、コールドリセット中は、CE#およびRESET#を含むすべての制御信号が無視されます。tVCS中、RESET#HIGHでもLOWでも問題ありません。

     

    56. S29GL064NからS29GL064Sへ移行すると考えていますが、移行ガイドAN98586では64Mbit製品は除外されています。S29GL064NからS29GL064Sへの移行は可能でしょうか?

    S29GL064NからS29GL064Sへの移行は可能です。詳細はMigration from GL064N to GL064Sを参照してください。

    64Mbit128Mbitの差について補足します。128Mbitデバイスのデータバスはx16(ワード)モードだけです。容量が128Mbit以上のデバイスは BYTE#ピンを持ちません。なお、128Mbitデバイスのステータスレジスタは64Mbitデバイスと同じです。

    また、64MbitデバイスはCFI v1.3をサポートしますが、128MbitデバイスはCFI v1.5をサポートします。他の違いについてはデバイスのデータシートを確認してください。

     

    57. S29GL-Tデバイスの同一ページに対して、消去せずに2回書き込んでも(同一ページに消去→書き込み→書き込み)、ECC機能が有効のままなのは何故ですか?

    ECCビットはフラッシュの非揮発性メモリセルに保存されているため、ECCビットは’1’’0’にのみ変更できます。1回目の書き込み動作で、ECCパリティは計算され、隠されたECCフィールドに書き込まれます。ECCは自動的に有効になります。2回目の書き込み動作で、ECCパリティは再計算されます。新たなECCパリティが禁止されている’0’ から’1’への変更を含む場合、ECC機能は無効になります。しかし、新たなECCパリティが’1’ から’0’への変更のみ場合、ECC機能は有効のままです。

    AN200621の“自動ECC”の章を参照してください。

     

    58. シリアルフラッシュの最小周波数を教えてください。

    最小周波数は1Hzです。フラッシュデバイスは、1Hzからデータシート記載の最大周波数まで動作できます。

     

    59. S26KS256Sに対するX線照射の最大量を教えてください。

    S26KS256SECC が有効の場合、20Gy (2000rad) 照射について問題がないことを確認しています。

    X線検査の推奨方法については、AN98547AN98522を参照してください。

     

    60. DCARS有効のS26KL-S/S26KS-Sデバイスに対して、CKPSCを接続し、CK#PSC#を接続することは可能ですか?

    DDR Center Aligned Read StrobeDCARS)機能が有効の場合、読み書きデータストローブ(RWDS)のエッジは、CK/CK#の代わりに、もう1つの差動位相シフトクロックPSC/PSC#を参照します。

    CKPSCを接続し、CK#PSC#を接続することは可能です。この場合、RWDS DCARS無効デバイスの様に動作します。